PL51T103S8

芯片概述: PL51T103 是帶 ADC 功能集成真 EEPROM 的微控制器， 內(nèi)置高性能單周期 ET8051 內(nèi)核。該系列芯片具有多達(dá) 18 個(gè)雙向通用 I/O，支持 15 個(gè)中斷源（包括 2 個(gè)外部中斷）， 具有 4 個(gè)中斷優(yōu)先級(jí)。 為了提高可靠性和降，芯片內(nèi)置可靠的 定時(shí)器（WDT）、低電壓檢測(cè)（LPD）、低電壓復(fù)位（LVR） 功能模塊。優(yōu)秀的抗干擾和 ESD 保護(hù)，確保單片機(jī)能夠在 惡劣的電磁干擾環(huán)境下可靠地運(yùn)行。 芯片內(nèi)部集成高頻、低頻振蕩器，具有在不同工作模 式之間動(dòng)態(tài)切換的能力，從而優(yōu)化微控制器的操作并且減 少功耗。 為了減少功耗，芯片可以工作在三種低功耗模式下： 綠色 IDLE 模式、停止 STOP 模式和睡眠 SLEEP 模式；在低 功耗模式下，支持鍵盤(pán)快速喚醒。 芯片內(nèi)建完整的 UART0、UART1、SPI 及 I2C 接口，為 設(shè)計(jì)者提供一個(gè)與外部硬件通信的接口。 在存儲(chǔ)器方面，除了 16K 字節(jié)的 Flash 程序存儲(chǔ)器， 還包含一個(gè) 256 字節(jié)的 RAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、1K 字節(jié)的 XRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和 256 字節(jié)的真 EEPROM 存儲(chǔ)器?？膳渲贸绦? 區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)讀出控制權(quán)限，同時(shí)程序區(qū)代碼加密擾碼存儲(chǔ)， 高安全級(jí)別地保護(hù)用戶(hù)程序及數(shù)據(jù)。 支持在芯片編程 ICP 功能，用戶(hù)可在應(yīng)用板上直接升 級(jí)程序區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)代碼。支持在芯片調(diào)試 ICD 功能，用戶(hù) 可在應(yīng)用板上直接調(diào)試程序。 為了方便用戶(hù)使用，聚元微提供在線(xiàn)調(diào)試燒寫(xiě)器和脫 機(jī)批量燒錄器